6N60,NDF06N60ZG安森美高压MOSFET系列

NDD02N60ZT4G,NDD04N60ZT4G,NDF06N60ZG,NDF10N60ZG,NDF08N60ZG安森美MOSFET

器件

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出

包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节

能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要

。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应

用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。

这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET，以提供有竞争力的低导通阻抗

(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形(planar stripe)技术，

能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源能效。这些器件的

额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发

更高能效的电源子系统。

新推出的600 V MOSFET器件包括：

NDD02N60Z-1G，采用IPAK封装

NDD02N60ZT4G，采用DPAK封装

NDD03N60Z-1G，采用IPAK封装

NDD03N60ZT4G，采用DPAK封装

NDD04N60Z-1G，采用IPAK封装

NDD04N60ZT4G，采用DPAK封装

NDF04N60ZG，采用TO-220FP封装

NDF06N60ZG，采用TO-220FP封装

NDF10N60ZG，采用TO-220FP封装

新推出的500 V MOSFET器件包括：

NDD05N50Z-1G，采用IPAK封装

NDD05N50ZT4G，采用DPAK封装

NDF05N50ZG，采用TO-220FP封装

NDF08N50ZG，采用TO-220FP封装

交流Q-Q 85806690 MOB. 13510582672 邵要斌