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NDD02N60ZT4G,NDF06N60ZGNDF,10N60ZG安森美MOSFET器件
( 型号 : NDD02N60ZT4G,NDF06N60ZGNDF,10N60ZG安森美MOSFET器件 )
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![NDD02N60ZT4G,NDF06N60ZGNDF,10N60ZG安森美MOSFET器件](http://image.ec21.com/image/shaoby82/oimg_CG00493310_CC00493991/NDD02N60ZT4G_NDF06N60ZGNDF_10N60ZG安森美MOSFET器件.jpg)
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NDD02N60ZT4G,NDF06N60ZGNDF,10N60ZG安森美MOSFET器件
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求,在这些应用中,加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言,这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器,及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET,以提供有竞争力的低导通阻抗(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形(planar stripe)技术,能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗,还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。
新推出的600 V MOSFET器件包括:
NDD02N60Z-1G,采用IPAK封装
NDD02N60ZT4G,采用DPAK封装
NDD03N60Z-1G,采用IPAK封装
NDD03N60ZT4G,采用DPAK封装
NDD04N60Z-1G,采用IPAK封装
NDD04N60ZT4G,采用DPAK封装
NDF04N60ZG,采用TO-220FP封装
NDF06N60ZG,采用TO-220FP封装
NDF10N60ZG,采用TO-220FP封装
新推出的500 V MOSFET器件包括:
NDD05N50Z-1G,采用IPAK封装
NDD05N50ZT4G,采用DPAK封装
NDF05N50ZG,采用TO-220FP封装
NDF08N50ZG,采用TO-220FP封装
交流Q-Q 85806690 MOB. 13510582672 邵要斌
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Price |
RMB 1.6 / PCS |
Delivery lead time |
现货 |
Minimum order |
1000 |
Supply ability |
50000 |
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[ 联系方式 ] |
公司名称 |
深圳市升跃电子有限公司 |
街道地址 |
广东 深圳 福田区华发北路电子设院512 518000
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电话号码 |
86 - 0755 - 28594869 |
传真号码 |
86 - 0755 - 83212927 |
公司网址 |
www.soyueic.com |
联系人 |
邵要斌 / 业务 |
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